Prozesstechnik für Produktionslinien.
Unabhängige technische Beratung für nasschemische Prozesse und Produktionsanlagen in der Halbleiter-, IC-Substrat-, Leiterplatten-, Solar- und Energiespeicherfertigung.
Woran ich arbeite
Öffnen Sie eine Lage, um zu sehen, was ich konkret tue und was Sie am Ende erhalten.
Die Arbeit
Entwicklung von SC1-, SC2-, DHF- und RCA-Reinigungen, HF-, HNO3- und KOH-Ätzprozessen sowie ozonbasierter Behandlung geätzter Oberflächen. Prozesskontrolle vom Laborrezept bis zur Pilotlinie. Additivchemie für Flow-Batterien und Texturierung.
Ihr Ergebnis
Ein dokumentierter Prozess, der in der Produktion sein Prozessfenster hält.
Die Arbeit
Rückverfolgung von Partikeln, Metallen und Defekten über Chemie, Anlage und Reinraumumgebung. Oberflächenanalyse mit AFM, XPS, Raman-Spektroskopie, Ellipsometrie und Vierpunktmessung. Arbeits- und Umweltschutz (EHS) nach der EU-REACH-Verordnung.
Ihr Ergebnis
Die Ursache ist gefunden, die Belege sind dokumentiert und Korrekturmaßnahmen sind definiert.
Die Arbeit
Linienspezifikation, Funktions- und Anlagentests, Sicherheitsabnahmen für HF-, HNO3- und KOH-Chemie, Anbindung von Medienversorgung und Automatisierung sowie Hochlauf schlüsselfertiger Produktionslinien.
Ihr Ergebnis
Eine Linie, die nach Spezifikation läuft, mit dokumentierter Übergabe.
Die Arbeit
Transfer von der Pilotlinie in die schlüsselfertige Produktion, Schulung von Ingenieuren zu Prozess und Betrieb sowie Prozessdokumentation mit ISO-konformer Standardisierung.
Ihr Ergebnis
Ein Team, das den Prozess ohne mich betreibt.
Die Arbeit
Portfolio- und Roadmap-Definition für Industrieanlagen und Prozesstechnologie auf Basis von Marktanalysen und Kundenanforderungen. Spezifikationen, Produktlebenszyklus-Management und OPEX/CAPEX-Planung.
Ihr Ergebnis
Eine priorisierte Roadmap und Spezifikationen, auf denen Ihr Entwicklungsteam aufbauen kann.
Die Arbeit
Globale Produktstrategien und Markteintritt, Key-Account-Management und technische Kundenbetreuung in EMEA, Indien, dem Nahen Osten und China, vom Angebot über die Vertragsverhandlung bis zur Projektübergabe.
Ihr Ergebnis
Ein Markteintrittsplan und belastbare Kundenbeziehungen.
Die Arbeit
Technische und wirtschaftliche Bewertung von Turnkey- und Energiespeicherprojekten, Make-or-Buy-Analysen und Business Cases für Investoren.
Ihr Ergebnis
Eine Entscheidungsgrundlage, die Bestand hat.
Dr. Maher Izaaryene
Promovierter Chemiker, Entwicklung von Nassreinigungs- und Oberflächenprozessen
Seit mehr als 15 Jahren entwickle, skaliere und nehme ich nasschemische Reinigungs-, Ätz- und Oberflächenbehandlungsprozesse für die Fertigung von Halbleitern, Wafern und fortschrittlichen Materialien in Betrieb. Bei der Schmid Group habe ich ein internationales F&E-Team geleitet, Prozesse vom Konzept über die Pilotierung bis zur schlüsselfertigen Produktion geführt und die weltweite Inbetriebnahme und den Hochlauf von Produktionslinien verantwortet.
Als Produktmanager habe ich Anlagen- und Technologieportfolios bei Singulus (Solar und Halbleiter), Bischof + Klein (technische Folien), Balluff (optische Sensoren) und SAS Softec (nasschemische Abscheideprozesse für IC-Substrate) gestaltet.
Ich bin Erfinder mehrerer Patente, darunter zur alkalischen Texturierung von Wafern und zur ozonbasierten Reinigung von Siliziumwafern nach dem Ätzen. Mit einer Promotion in Anorganischer Chemie und in den Arbeitssprachen Deutsch, Englisch, Französisch und Arabisch berate ich Hersteller, Anlagenbauer und Investoren bei Entscheidungen zu Prozess, Anlage und Technologie.
- 15+
- Jahre in der nasschemischen Prozesstechnik
- 4
- Patentanmeldungen zu Ätzen, Texturieren und Reinigen
- 10+
- Jahre im Produktmanagement
- 4
- Branchen: Halbleiter, IC-Substrat und Leiterplatte, Solar, Energiespeicher
Patente und Anmeldungen
- US 8,383,523 – Method for texturing silicon wafers, treatment liquid therefor, and useErteilt 2013
- EP 2517226 A1 – Verfahren und Vorrichtung zur Behandlung von Siliziumsubstraten2012
- US 2012/0276749 – Chemical etching, liquid phase etching, projection of etchant against a moving substrateVeröffentlicht 2012
- WO 2019/145485 A1 – Behandlung geätzter Oberflächen eines Halbleitersubstrats mit ozonhaltigem MediumAngemeldet 2019, auch DE 10 2018 206 978 A1
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